Skip navigation

Browsing by Author Яблонский, Г. П.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 8 of 8
Issue DateTitleAuthor(s)
2022Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4Боднарь, И. В.; Ящук, В. А.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.
2011Люминесценция p–i–n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложкеРжеуцкий, Н. В.; Гурский, А. Л.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Стогний, А. И.; Калиш, Х.; Янсен, Р.; Хойкен, М.; Шинеллер, Б.
2020Рост, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Mn0.3Ag0.7In4.1S6.8Боднарь, И. В.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П.
2020Структура спектров фотолюминесценции легированного кислородом графитоподобного нитрида углеродаЧубенко, Е. Б.; Баглов, А. В.; Леоненя, М. С.; Яблонский, Г. П.; Борисенко, В. Е.
2021Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn8S12.5Боднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П.
2020Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Mn1.5AgIn8S14Боднарь, И. В.; Тхан, Ч. Б.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П.
2019Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12Боднарь, И. В.; Чан, Б. Т.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П.
2011Установка для измерения пространственного распределения излучения лазерных диодов и силы света светодиодов и светодиодных осветителейНиконенко, С. В.; Луценко, Е. В.; Зубелевич, В. З.; Ржеуцкий, Н. В.; Ждановский, В. А.; Данильчик, А. В.; Яблонский, Г. П.; Длугунович, В. А.