| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-11-22T08:14:04Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T11:59:49Z | - |
| dc.date.available | 2016-11-22T08:14:04Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-19T11:59:49Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Мищенко В. Н. Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвора / В.Н. Мищенко // Технические средства защиты информации: Тезисы докладов ХIV Белорусско-российской научно-технической конференции. ( Минск 25-26 мая 2016 г.). - Минск: БГУИР, 2016. – С. 62-63. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10168 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов
диапазонов СВЧ и КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, радиометров и ряда других приборов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференции | ru_RU |
| dc.subject | GaAs транзистор | ru_RU |
| dc.title | Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвора | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2016
|
