Skip navigation
DSpace logo
  1. Репозиторий БГУИР
  2. Научные публикации
  3. Публикации в изданиях Республики Беларусь
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10509
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.-
dc.date.accessioned2016-11-30T10:13:09Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T12:27:03Z-
dc.date.available2016-11-30T10:13:09Z-
dc.date.available2017-07-27T12:27:03Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationМищенко, В. Н. Моделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-Карло / В. Н. Мищенко // 10-я Международная научно-техническая конференция КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА (Минск, 9–13 ноября 2015 г.). - Минск: БГУ, 2015. – C. 111 - 112.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10509-
dc.description.abstractИсследованы процессы переноса электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетеро-структуре с использованием метода Монте-Карло. Модели-рование таких структур является актуальной задачей, которая связана с разработкой быстродействующих приборов диапазонов СВЧ и КВЧ. Для анализа физических процессов был использован статисти-ческого метода Монте-Карло, который позволяет учесть все механизмы рассеяния носи-телей заряда в полупроводнике.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectдрейфовая скорость электроновru_RU
dc.subjectарсенид галлияru_RU
dc.subjectметод Монте-Карлоru_RU
dc.subjectдиапазоны СВЧ и КВЧru_RU
dc.titleМоделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-Карлоru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationWe investigated the electron transfer processes in GaAs / AlxGa1-xAs hetero-structure by using the Monte Carlo method. Modeling of such structures is an important task, which is associated with the development of high-speed devices SHF and EHF bands. To analyze the physical processes was used- statistical Monte Carlo method, which allows to take into account all the scattering mechanisms of charge in the semiconductor.-
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
29094.PDF733.85 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.