Влияние постоянного магнитного поля на рост пленок пористого анодного оксида алюминия в водном растворе серной кислоты

Abstract

Изучено влияние постоянного магнитного поля на скорость роста и морфологию поверхности пленок анодного оксида алюминия, полученных в водном растворе серной кислоты. Тонкие пленки алюминия толщиной около 100 нм получали термическим испарением в вакууме на кремниевых подложках, покрытых пленкой диоксида кремния. Показано, что наличие постоянного магнитного поля с индукцией 0,7 Тл при анодировании пленки алюминия приводит к уменьшению скорости роста пленки пористого оксида на 33 %, диаметра пор на 1,5 нм, расстояния между центрами пор на 6,3 нм и диаметра ячейки на 7,3 нм. На основании данных, полученных в работе, а также предыдущих исследований о локализации отрицательного объемного заряда и термически активированных ловушках в анодном оксиде алюминия установлено, что по величине постоянного магнитного поля, требуемого для изменения диаметра ячейки и пор в пленках нанопористого оксида алюминия, можно судить о глубине залегания локализованных электронных состояний.