Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11019
Title: Магнитные и магниторезистивные свойства наногетероструктур Al2O3-Sr2FeMoO6-δ-Al2O3
Authors: Горох, Г. Г.
Лозовенко, А. А.
Каланда, Н. А.
Ярмолич, М. В.
Канюков, Е. Ю.
Keywords: публикации ученых;анодный оксид алюминия;нанопровода;электрохимическое осаждение;сурьма;anodic alumina;nanowires;electrochemical deposition;antimony
Issue Date: 2016
Publisher: Наука
Citation: Магнитные и магниторезистивные свойства наногетероструктур Al2O3-Sr2FeMoO6-δ-Al2O3 / Г. Г. Горох и другие // Физика твердого тела. – 2016. - Т. 58, Вып. 2. - С. 341 - 349.
Abstract: Разработана методика создания нанопористых матриц на основе анодного оксида алюминия для осаждения в них ферримагнитных наночастиц. Отработаны режимы нанесения тонких пленок ферромолибдата стронция, полученных ионно-плазменным методом, и исследованы их структура, состав, магнитные и магниторезистив- ные свойства. Установлено, что микроструктура и свойства пленок ферромолибдата стронция, нанесенных методом ионно-плазменного напыления, зависят от скорости напыления и температуры подложки. На основании измерения удельного электросопротивления наногетероструктур в магнитном поле обнаружено, что величина магнитосопротивления достигает 14% при T = 15 K и B = 8 T, что обусловлено проявлением туннельного магнетосопротивления.
Alternative abstract: A method has been developed for fabricating nanoporous matrices based on anodic aluminum oxide for the deposition of ferromagnetic nanoparticles in them. The modes of deposition of strontium ferromolybdate thin films prepared by the ion-plasma method have been worked out, and the magnetic and magnetoresistive properties, structure, and composition of the films have been investigated. It has been revealed that the microstructure and properties of the strontium ferromolybdate films deposited by ionplasma sputtering depend on the deposition rate and the temperature of the substrate. Based on the measurement of the electrical resistivity of nanoheterostructures in a magnetic field, it has been found that the magnetoresistance reaches 14% at T = 15 K and B = 8 T, which is due to the manifestation of tunneling magnetoresistance.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11019
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
14091.pdf2.18 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.