| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Шелибак, И. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-12-28T08:57:09Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:36:44Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-28T08:57:09Z | |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:36:44Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Шелибак, И. Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» / И. Шелибак, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. – 2016. – № 8 (102). – С. 89 – 93. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11047 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты оптимизации конструктивно-технологических параметров
приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ),
сформированного в стандартном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ).
Рассмотрены особенности функционирования различных конструктивных решений БТИЗ.
Предложена и исследована конструкция БТИЗ на КНИ структуре с несколькими затворами,
что обеспечивает ступенчатое изменение коммутируемого тока. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | биполярный транзистор | ru_RU |
| dc.subject | конструкция | ru_RU |
| dc.subject | технология изготовления | ru_RU |
| dc.subject | динамические характеристики | ru_RU |
| dc.subject | isolated gate bipolar transistor | ru_RU |
| dc.subject | structure | ru_RU |
| dc.subject | manufacturing technology | ru_RU |
| dc.subject | static and dynamic characteristics | ru_RU |
| dc.title | Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» | ru_RU |
| dc.title.alternative | Insulated-gate bipolar transistor formed in the bulk silicon and using «Silicon on insulator» technology | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of the optimization of design and technological parameters device structures insulated-
gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI)
technology are presented. The specific features of the functioning of various constructive solutions
IGBT are studied. A construction of SOI-IGBT structure with multiple gates, which allows a step
change in the switched current, is suggested and investigated. | - |
| Appears in Collections: | №8 (102)
|
