| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Горох, Г. Г. | - |
| dc.contributor.author | Лозовенко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Обухов, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Смирнова, Е. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-01-03T09:37:54Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-27T11:59:26Z | - |
| dc.date.available | 2017-01-03T09:37:54Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-27T11:59:26Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Горох, Г. Г. Регулярные матрицы Al2O3 с нанопроводами InSb для перспективных устройств наноэлектроники / Г. Г. Горох и другие // Мокеровские чтения: Сборник трудов 7-й международной конференции. – Москва : НИЯУ МИФИ, 2016. - С. 101 – 102. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11120 | - |
| dc.description.abstract | Разработан метод изготовления темплейтов из пористого анодного оксида алюминия (ПАОА) для формирования массивов нанопроводов InSb. Нанопровода InSb синтезировались методом электрохимического осаждения из водных растворов в темплейты из ПАОА. Исследована морфология наноструктур с помощью сканирующей электронной микроскопии. Состав нанопроводов InSb исследован с помощью рентгеноспектрального микроанализа. Исследованные вольт-амперные характеристики имеют нелинейный вид с максимальными значениями тока 129,8 A/cм2 при напряжении 3 В. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | пористый анодный оксид алюминия | ru_RU |
| dc.subject | электрохимическое осаждение | ru_RU |
| dc.subject | нанопровода | ru_RU |
| dc.subject | InSb | ru_RU |
| dc.subject | porous anodic alumina | ru_RU |
| dc.subject | electrochemical deposition | ru_RU |
| dc.subject | nanowires | ru_RU |
| dc.title | Регулярные матрицы Al2O3 с нанопроводами InSb для перспективных устройств наноэлектроники | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Method of porous alumina templates formation for the synthesis of InSb nanowire arrays has been developed. InSb nanowires were synthesized by electrochemical deposition from aqueous solutions into porous alumina templates. The morphology of the nanostructures was investigated by scanning electron microscopy. The indium antimonide composition was study with X-ray microanalysis. The measured I-V characteristics of InSb nanowires had a non-linear view, and maximum current values through the nanowire arrays have reached to 129,8 A/cm2 at a voltage of about 3 V. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
