| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Горох, Г. Г. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Масол, И. В. | - |
| dc.contributor.author | Осинский, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Ляхова, Н. Н. | - |
| dc.contributor.author | Суховий, Н. О. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-01-03T12:39:33Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-27T11:59:38Z | - |
| dc.date.available | 2017-01-03T12:39:33Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-27T11:59:38Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Горох, Г. Г. Si/3N нано приборы: второе пришествие кремния / Г. Г. Горох и другие // Мокеровские чтения: сборник трудов 7-й международной конференции. – Москва, НИЯУ МИФИ, 2016. - С. 47 - 48. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11134 | - |
| dc.description.abstract | Разработка новых полупроводниковых АIIIBV-материалов для источников света, оптико-электронных сверхвысокочастотных и высокотемпературных устройств является актуальной задачей в течение последних десятилетий. Интеграция электронных элементов с регулярными АIIIBV-структурами на Si приводит к широким возможностям для изобретения сложных функциональных устройств на одном чипе (Si/3N). Самоорганизующиеся диэлектрические пленки, например, пористый анодный оксид алюминия являются перспективными материалами в качестве шаблона для монтажа Si/3N наноустройств. Был разработан научный подход создания новых супер ярких белых светодиодов на основе разнородных материалов и нанопористых структур. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | пористый анодный оксид алюминия | ru_RU |
| dc.subject | эпитаксиальный рост | ru_RU |
| dc.subject | минимизация дефектов | ru_RU |
| dc.subject | эпитаксиальные структуры Si/АIIIBV | ru_RU |
| dc.subject | porous anodic alumina | ru_RU |
| dc.subject | epitaxial growth | ru_RU |
| dc.subject | minimization of defects | ru_RU |
| dc.subject | epitaxial structures Si/АIIIBV | ru_RU |
| dc.title | Si/3N нано приборы: второе пришествие кремния | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Development of new semiconductor AIIIBV-materials for light sources, optoelectronic ultrahigh-frequency and high-temperature devices is an actual task during last decades. Integration of electronic elements with regular AIIIBV-structures on Si leads to wide possibilities for invention of complex functional devices on a single cheap (Si/3N). Self-organized dielectric films, for example, porous anodic alumina are promising materials as a template for mounting of Si/3N nanodevices. The scientific approach of creation of new super bright white LEDs based on heterogeneous materials and nanoporous structures has been developed. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
