| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Плебанович, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Шнейдеров, Е. Н. | - |
| dc.contributor.author | Бурак, И. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-01-03T13:04:46Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:36:44Z | - |
| dc.date.available | 2017-01-03T13:04:46Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:36:44Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Прогнозирование времени хранения информации после отключения питания для интегральных микросхем энергонезависимой памяти / В. И. Плебанович [ и др.] // Доклады БГУИР. – 2016. – № 8 (102). – С. 10 – 16. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11137 | - |
| dc.description.abstract | Для кристаллов интегральных микросхем (ИМС) энергонезависимой памяти предлагается
способ прогнозирования времени хранения информации после отключения питания.
Прогнозирование выполняется с использованием ускоренных испытаний, в качестве
которых рассматриваются температурные воздействия, сопровождающие технологические
операции помещения кристалла в корпус и сборки ИМС. Для комплекса воздействий с
учетом всех технологических операций сборки ИМС выполнена оценка коэффициента
ускорения испытаний и для нормальных условий эксплуатации кристалла ИМС найдено
гарантированное время хранения информации после отключения питания. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | интегральные микросхемы | ru_RU |
| dc.subject | энергонезависимая память | ru_RU |
| dc.subject | время хранения информации | ru_RU |
| dc.subject | отключение питания | ru_RU |
| dc.subject | integrated circuits | ru_RU |
| dc.subject | EEPROM | ru_RU |
| dc.subject | information storage time | ru_RU |
| dc.subject | power is turned off | ru_RU |
| dc.title | Прогнозирование времени хранения информации после отключения питания для интегральных микросхем энергонезависимой памяти | ru_RU |
| dc.title.alternative | Prediction of information storage time after power off for integrated circuits of EEPROM | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | For crystals of EEPROM integrated circuits (ICs) a method for predicting of information storage
time after the power is turned off is provided. Prediction is performed using the accelerated tests,
which are considered as the temperature effects that accompany the technological operations in
the premises of the crystal body and the ICs assembly. All technological IC assembly operations
have complex effect. For this effect, estimated coefficient of acceleration tests is founded. Also for
normal operating conditions of the ICs it's found the guaranteed time of information storage after
power off. | - |
| Appears in Collections: | №8 (102)
|
