Skip navigation
DSpace logo
  1. Репозиторий БГУИР
  2. Научные публикации
  3. Публикации в зарубежных изданиях
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11161
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГорох, Г. Г.-
dc.contributor.authorЛозовенко, А. А.-
dc.contributor.authorОсинский, В. И.-
dc.date.accessioned2017-01-04T08:39:49Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T11:59:31Z-
dc.date.available2017-01-04T08:39:49Z-
dc.date.available2017-07-27T11:59:31Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationГорох, Г. Г. Наноструктурированные темплетно-буферные слои на основе матриц анодного оксида алюминия для эпитаксиального роста пленок нитрида галлия / Г. Г. Горох, А. А. Лозовенко, В. И. Осинский // Мокеровские чтения: сборник трудов 7-й международной конференции. – Москва: НИЯУ МИФИ, 2016. - С. 97–98.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11161-
dc.description.abstractРазработан метод изготовления наноструктурированных темплетно-буферных слоев на кремниевых подложках, основанных на ультра-тонких матрицах нанопористого анодного оксида алюминия (АОА) с наноструктурами III-нитридов, для эпитаксиального наращивания бездефектных слоев нитрида галлия. Он состоит из последовательности нескольких операций - формирование матрицы АОА без барьерного слоя на поверхности пластины, заполнение пор АОА наночастицами нитридов, планиризация поверхности и эпитаксиальный рост пленки GaN на гладкой поверхности. Локальный и селективный эпитаксиальный рост наноструктур из III-нитридов в порах АОА размером менее 50 нм, позволяет получить из нанослои GaN, характеризуемые монокристалличностью с низкой плотностью дислокаций.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНИЯУ МИФИru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectпористый анодный оксид алюминияru_RU
dc.subjectэпитаксиальный ростru_RU
dc.subjectминимизация дефектовru_RU
dc.subjectпленки GaNru_RU
dc.subjectporous anodic aluminaru_RU
dc.subjectepitaxial growthru_RU
dc.subjectminimization of defectsru_RU
dc.subjectGaN filmsru_RU
dc.titleНаноструктурированные темплетно-буферные слои на основе матриц анодного оксида алюминия для эпитаксиального роста пленок нитрида галлияru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationA method of formation of nanostructured template-buffer layers on the silcon substrates based on ultra-thin nanoporous anodic alumina matrixes with II-nitride nanostructures for epitaxial growth of low defect GaN layers has been developed. It consists of a sequence of several operations - forming of anodic alumina matrix without barrier layer on the wafer surface, filling of the AOA pores by nitride nanoparticles, surface planarization and epitaxial growth of GaN film on the smooth surface. The local and selective epitaxial growth of II-nitride nanostructures in anodic alumina pores of size less than 50 nm alows obtaining of the GaN nanolayers characterized monocrystallinity with ow dislocation density.-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
nano.pdf563.44 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.