https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11172| Title: | Получение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойств |
| Other Titles: | Nanostructured titanium disilicide powders: preparation by self-propagating high-temperature synthesis and mechanochemical processes and physicochemical properties |
| Authors: | Ковалевский, А. А. Комар, О. М. |
| Keywords: | публикации ученых;наноструктурированные материалы;дисилицид титана;коэффициент поглощения;ширина запрещенной зоны;nanostructured materials;titanium disilicide;absorption coefficient;band gap |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Наука |
| Citation: | Ковалевский, А. А. Получение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойств / А. А. Ковалевский, О. М. Комар // Неорганические материалы. – 2016. – Т. 52, № 10. – С. 1060 – 1068. |
| Abstract: | В процессе «холодного» сплавления наноразмерных порошков кремния с титаном и механохимической активации порошков TiSi2, полученных в результате самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), созданы наноструктурированные порошки дисилицида титана (TiSi2) с полупроводниковыми свойствами. Установлено, что полупроводниковые свойства TiSi2 определяются наномасштабом его кристаллитов. В основе механизма формирования TiSi2, как полупроводникового материала, лежит смена его зонной структуры от проводника к полупроводнику. Такая трансформация происходит при переходе структурной фракции кристаллитов микронных размеров к кристаллитам наноразмеров, причем к наноразмерам ≤ 70 нм, представляющих собой нанокластеры с нарушенным порядком упаковки атомов кремния и титана. |
| Alternative abstract: | Nanostructured titanium disilicide (TiSi2) powders with semiconducting properties have been prepared via cold fusion of silicon and titanium nanopowders and mechanochemical activation of TiSi2 powders prepared by self-propagating high-temperature synthesis. The semiconducting properties of TiSi2 have been shown to be determined by the nanocrystallite size. Basic to the formation of TiSi2 as a semiconductor material is a change in its band structure upon the conversion of the conductor to a semiconductor. The transformation takes place when the crystallite size decreases from microns to the nanometer range (≤70 nm). Such crystallites are nanoclusters with distorted order in the arrangement of the silicon and titanium atoms. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11172 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 110904.pdf | 1.15 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.