| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Медведева, И. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Мурин, Л. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-03-15T12:52:36Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-17T12:46:39Z | - |
| dc.date.available | 2017-03-15T12:52:36Z | |
| dc.date.available | 2017-07-17T12:46:39Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Медведева, И. Ф. Образование и отжиг радиационно-индуцированных центров в кристаллах Si<O,Cu> / И. Ф. Медведева, Л. И. Мурин // Медэлектроника – 2014. Средства медицинской электроники и новые медицинские технологии : сборник научных статей VIII Международная научно-техническая конференция (Минск, 10 – 11 декабря 2014 г.). – Минск : БГУИР, 2014. – С. 38-40 | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12230 | - |
| dc.description.abstract | The effect of copper impurity on radiation-induced defect (RID) reactions in n-type silicon crystals Si<O,Cu> upon isothermal annealing at 150 and 200 єC has been studied by means of the Hall effect technique. The activation energies of appropriate reactions are determined and possible mechanisms of copper interaction with RIDs are discussed. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | РИЦ | ru_RU |
| dc.title | Образование и отжиг радиационно-индуцированных центров в кристаллах Si<O,Cu> | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Медэлектроника - 2014
|
