Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12931
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБоровик, А. М.-
dc.contributor.authorХанько, В. Т.-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.date.accessioned2017-05-23T08:42:59Z-
dc.date.accessioned2017-07-13T06:38:44Z-
dc.date.available2017-05-23T08:42:59Z-
dc.date.available2017-07-13T06:38:44Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationБоровик, А. М. Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора / А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. - 2017. - № 3 (105). - С. 65 - 69.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12931-
dc.description.abstractРазработана методика экстракции и идентификации параметров электрических моделей наноразмерных полупроводниковых приборов, основанная на применении методов оптимизации. Эффективность предлагаемого подхода к идентификации, экстракции и оптимизации параметров электрических моделей полупроводниковых приборов продемонстрирована на примерах экстракции SPICE-параметров моделей BSIM4 и HiSIM2 для МОП-транзисторов стандартной конструкции, изготовленных по технологии, обеспечивающей минимальную длину канала 90 нм.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectэлектрическая модельru_RU
dc.subjectэкстракция параметровru_RU
dc.subjectоптимизацияru_RU
dc.subjectнаноразмерный МОП-транзисторru_RU
dc.subjectelectrical modelru_RU
dc.subjectparameters extractionru_RU
dc.subjectoptimizationru_RU
dc.subjectnanoscale MOSFETru_RU
dc.titleЭлектрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистораru_RU
dc.title.alternativeElectrical model of the 90 nm MOSFETru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationThe technique of extraction and identification of electrical models parameters for nanoscale semiconductor devices based on optimization methods application is developed. The proposed approach efficiency to identification, extraction and optimization of parameters of semiconductor devices electrical models is demonstrated by examples of BSIM4 and HiSIM2 models SPICE parameters extraction for standard design MOS transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm.-
Appears in Collections:№3 (105)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borovik_Elektricheskaya.PDF595.45 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.