DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Пискун, Г. А. | - |
dc.contributor.author | Алексеев, В. Ф. | - |
dc.contributor.author | Piskun, G. A. | - |
dc.contributor.author | Alexeev, V. F. | - |
dc.date.accessioned | 2017-06-08T11:44:56Z | - |
dc.date.accessioned | 2017-07-27T12:00:00Z | - |
dc.date.available | 2017-06-08T11:44:56Z | - |
dc.date.available | 2017-07-27T12:00:00Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Пискун, Г. А. Влияние разрядов статического электричества на программное обеспечение, инсталлированное во встроенную flash-память микроконтроллеров / Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев // Радиоэлектроника и информатика. - 2012. - № 3 (58). - С. 8 - 12 | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/13182 | - |
dc.description.abstract | Рассматривается задача оценки влияния электростатических разрядов (ЭСР) на программное обеспечение (ПО), инсталлированное во встроенную flash-память микроконтроллеров (МК). Предложена методика проведения испытания flash-памяти МК на чувствительность к ЭСР, в котором учитываются ухудшения функциональных свойств МК при определенных значениях напряжения разряда. Проведены эксперименты подтверждающие адекватность разработанной методики. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Харьковский национальный университет радиоэлектроники | ru_RU |
dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
dc.title | Влияние разрядов статического электричества на программное обеспечение, инсталлированное во встроенную flash-память микроконтроллеров | ru_RU |
dc.title.alternative | Influence of electrostatic discharge on code installed to flash-memory microcontroller | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
local.description.annotation | Features of influence of the electrostatic categories for flash-memory of microcontrollers of type AT89C51RC is experimentally investigated. It is established that saved up for-number the static electricity, equal 6,4 kB, will lead to damage of 94 % of an information stored in flash-memory of microcontrollers. The technique of carrying out of test of flash-memory of microcontrollers on sensitivity to electrostatic categories is offered. | - |
Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|