| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Углов, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Квасов, Н. Т. | - |
| dc.contributor.author | Асташинский, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Петухов, Ю. А. | - |
| dc.contributor.author | Кузьмицкий, А. М. | - |
| dc.contributor.author | Дорошевич, И. Л. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-11-13T12:41:16Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:04:35Z | - |
| dc.date.available | 2014-11-13T12:41:16Z | |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:04:35Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме / В. В. Углов [и др.] // Доклады БГУИР. - 2013. - № 2 (72). - С. 21 - 25. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1435 | - |
| dc.description.abstract | Приводятся результаты исследований фотовольтаического эффекта, впервые обнаруженного авторами в легированном кремнии после облучения импульсами компрессионной плазмы. Определены оптимальные режимы обработки, обеспечивающие максимальное значение фотоЭДС. Установлены зависимости фотоЭДС от дозы облучения высокоэнергетическими электронами. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | фотовольтаический эффект | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | радиационные дефекты | ru_RU |
| dc.subject | компрессионная плазма | ru_RU |
| dc.title | Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме | ru_RU |
| dc.title.alternative | Radiation resistance of silicon nanostructured photovoltaic elements formed in com- pression plasma | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №2 (72)
|
