Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1520
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛовшенко, И. Ю.-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.contributor.authorТурцевич, А. С.-
dc.contributor.authorШелибак, И.-
dc.date.accessioned2014-11-19T11:02:10Z-
dc.date.accessioned2017-07-13T06:06:04Z-
dc.date.available2014-11-19T11:02:10Z-
dc.date.available2017-07-13T06:06:04Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationЛовшенко, И. Ю. Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействия / И. Ю. Ловшенко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2013. - № 4 (74). - С. 10 - 15.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1520-
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования влияния технологических параметров формирования структуры IGBT-прибора на его динамические характеристики. Показано, что быстродействие (время включения и выключения) структуры существенно определяется технологическими параметрами формирования как биполярного транзистора, так и МОП-транзистора – составляющих элементов IGBT-прибора. Показано, что на быстродействие прибора не влияет уровень концентрации примеси в эмиттере биполярного транзистора и проявляется лишь небольшое влияние степени легирования базы. В большей мере динамические характеристики IGBT-структуры определяются дозой и энергией ионов при имплантационном подлегировании области канала МОП-транзистора (при увеличении дозы в 2 раза время включения и выключения снижаются почти на 20% каждое, а при увеличении энергии ионов на 20 % длительность выходного импульса увеличивается почти на 25 %).ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectбиполярный транзистор с изолированным затворомru_RU
dc.subjectIGBT-структураru_RU
dc.subjectконструкцияru_RU
dc.subjectтехнология изготовленияru_RU
dc.subjectдинамические характеристикиru_RU
dc.subjectоптимизацияru_RU
dc.titleПроектирование IGBT- прибора высокого быстродействияru_RU
dc.title.alternativeDesign of high-speed IGBT deviceru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:№4 (74)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lovshenko_Proyektirovaniye.PDF598.53 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.