DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
dc.contributor.author | Шелибак, И. | - |
dc.date.accessioned | 2014-11-19T11:02:10Z | - |
dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:06:04Z | - |
dc.date.available | 2014-11-19T11:02:10Z | - |
dc.date.available | 2017-07-13T06:06:04Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Ловшенко, И. Ю. Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействия / И. Ю. Ловшенко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2013. - № 4 (74). - С. 10 - 15. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1520 | - |
dc.description.abstract | Представлены результаты исследования влияния технологических параметров формирования структуры IGBT-прибора на его динамические характеристики. Показано, что быстродействие (время включения и выключения) структуры существенно определяется технологическими параметрами формирования как биполярного транзистора, так и МОП-транзистора – составляющих элементов IGBT-прибора. Показано, что на быстродействие прибора не влияет уровень концентрации примеси в эмиттере биполярного транзистора и проявляется лишь небольшое влияние степени легирования базы. В большей мере динамические характеристики IGBT-структуры определяются дозой и энергией ионов при имплантационном подлегировании области канала МОП-транзистора (при увеличении дозы в 2 раза время включения и выключения снижаются почти на 20% каждое, а при увеличении энергии ионов на 20 % длительность выходного импульса увеличивается почти на 25 %). | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | биполярный транзистор с изолированным затвором | ru_RU |
dc.subject | IGBT-структура | ru_RU |
dc.subject | конструкция | ru_RU |
dc.subject | технология изготовления | ru_RU |
dc.subject | динамические характеристики | ru_RU |
dc.subject | оптимизация | ru_RU |
dc.title | Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействия | ru_RU |
dc.title.alternative | Design of high-speed IGBT device | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Appears in Collections: | №4 (74)
|