| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лазарь, А. П. | - |
| dc.contributor.author | Коршунов, Ф. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-11-20T09:56:03Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:06:35Z | - |
| dc.date.available | 2014-11-20T09:56:03Z | |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:06:35Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Лазарь, А. П. Моделирование радиационной стойкости элементов логических КМОП интегральных микросхем / А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов // Доклады БГУИР. - 2013. - № 5 (75). - С. 17 - 23. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1569 | - |
| dc.description.abstract | Приведено описание программного комплекса для моделирования радиационной стойкости
n- и p-канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов – элементов
комплементарных МОП интегральных микросхем. Программное обеспечение
предназначено для визуализации и анализа результатов измерений вольтамперных
характеристик транзисторов, экстракции SPICE-параметров и последующего
моделирования их эволюции в зависимости от дозы ионизирующего излучения.
Исследовано радиационное поведение МОП транзисторов – элементов микросхем
1554ЛН1 – в поле ионизирующего излучения Со60. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | n- и p-канальные МОП транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | элементы КМОП интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.subject | SPICE-параметры | ru_RU |
| dc.subject | гамма излучение | ru_RU |
| dc.subject | вольтамперные характеристики | ru_RU |
| dc.title | Моделирование радиационной стойкости элементов логических КМОП интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Radiation resistance simulation of logical CMOS integrated circuits elements | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №5 (75)
|
