| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Гусакова, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-11-27T07:43:53Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-12T11:42:41Z | - |
| dc.date.available | 2014-11-27T07:43:53Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-12T11:42:41Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Гусакова, Ю. В. Фундаментальные электронные свойства кремниевых наношнуров / Ю. В. Гусакова, Д. Б. Мигас // Доклады БГУИР. - 2011. - № 1 (55). - С. 19 - 22. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1749 | - |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование стабильности кремниевых шнуров с ориентацией <001> диаметром 0,82–1,818 нм. Установлено, что с увеличением диаметра шнура в этих пределах ширина запрещенной зоны уменьшается с 3,42 эВ до 2,27 эВ. Реконструкция поверхности наношнура (формирование димеров на поверхности) влияет на его электронные свойства –
приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | кремниевые наношнуры | ru_RU |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | ru_RU |
| dc.subject | полуэмпирический метод Хартри-Фока | ru_RU |
| dc.title | Фундаментальные электронные свойства кремниевых наношнуров | ru_RU |
| dc.title.alternative | Fundamental electronic properties of silicon nanowires | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №1 (55)
|
