DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Малютина-Бронская, В. В. | - |
dc.contributor.author | Залесский, В. Б. | - |
dc.contributor.author | Леонова, Т. Р. | - |
dc.date.accessioned | 2014-12-08T09:30:50Z | - |
dc.date.accessioned | 2017-07-12T11:45:52Z | - |
dc.date.available | 2014-12-08T09:30:50Z | - |
dc.date.available | 2017-07-12T11:45:52Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Малютина-Бронская, В. В. Электрические свойства пленок оксида цинка легированных редкоземельными элементами / В. В. Малютина-Бронская, В. Б. Залесский, Т. Р. Леонова // Доклады БГУИР. - 2011. - № 6 (60). - С. 39 - 43. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2034 | - |
dc.description.abstract | Представлены результаты исследований вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик
структур Al-Ni/ZnO:Er(Eu)/Si. Пленки ZnO, легированные редкоземельными элементами Eu
и Er, получены методом реактивного магнетронного распыления цинковой мишени на
кремний. Данные пленки имеют структуру плотной упаковки нано- и микрокристаллитов с
размерами порядка 100–300 нм. Установлено, что доминирующим механизмом переноса
носителей заряда в структуре является ток, ограниченный пространственным зарядом.
Концентрация локальных центров, полученная из анализа вольт-фарадных характеристик,
составляет 1018 см-3 для структур ZnO:Eu/p-Si и 1018–1019 см -3 для структур ZnO:Er /n-Si. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | ZnO | ru_RU |
dc.subject | магнетронное распыление | ru_RU |
dc.subject | редкоземельные элементы | ru_RU |
dc.subject | вольт- фарадные характеристики | ru_RU |
dc.subject | вольт-амперные характеристики | ru_RU |
dc.title | Электрические свойства пленок оксида цинка легированных редкоземельными элементами | ru_RU |
dc.title.alternative | Electrical properties of zink oxide films doped with rare-earth elements | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Appears in Collections: | №6 (60)
|