DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Зеленин, В. А. | - |
dc.date.accessioned | 2014-12-11T13:07:52Z | |
dc.date.accessioned | 2017-07-12T11:53:40Z | - |
dc.date.available | 2014-12-11T13:07:52Z | |
dc.date.available | 2017-07-12T11:53:40Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Зеленин, В. А. Контроль остаточных напряжений в структурах Si–SiO2 / В. А. Зеленин // Доклады БГУИР. - 2012. - № 8 (70). - С. 37 - 43. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2167 | - |
dc.description.abstract | Рассмотрены пути повышения точности контроля величины остаточных напряжений в структурах диоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложка. Приведены результаты определения уровня остаточных напряжений в структурах Si–SiO2. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | остаточные напряжения | ru_RU |
dc.subject | диоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложка | ru_RU |
dc.title | Контроль остаточных напряжений в структурах Si–SiO2 | ru_RU |
dc.title.alternative | Control of residual stresses in structures Si–SiO2 | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Appears in Collections: | №8 (70)
|