DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Емельянов, А. В. | - |
dc.date.accessioned | 2017-09-01T12:20:20Z | - |
dc.date.available | 2017-09-01T12:20:20Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Емельянов, А. В. Информационно-параметрические методы совершенствования технологии производства субмикронных интегральных микросхем с применением тестовых структур: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / А. В. Емельянов; науч. рук. А. П. Достанко. – Минск : БГУИР, 2012. - 25 с. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25037 | - |
dc.description.abstract | Цель работы: разработка конструкций и технологических процессов создания тестовых полупроводниковых структур, информационно-параметрических методов и средств определения закономерностей формирования структуры и свойств функциональных слоев и заданных эксплуатационных параметров субмикронных микросхем на этапах их изготовления в условиях серийного производства. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
dc.subject | интегральные микросхемы (ИМС) | ru_RU |
dc.subject | тестовые структуры | ru_RU |
dc.subject | показатели надежности | ru_RU |
dc.subject | прогнозирование отказов | ru_RU |
dc.subject | дефекты | ru_RU |
dc.subject | диэлектрические слои | ru_RU |
dc.subject | металлизация | ru_RU |
dc.subject | integrated microcircuits (IC) | ru_RU |
dc.subject | test structures | ru_RU |
dc.subject | reliability index | ru_RU |
dc.subject | rejects forecasting | ru_RU |
dc.subject | defects | ru_RU |
dc.subject | dielectric layers | ru_RU |
dc.title | Информационно-параметрические методы совершенствования технологии производства субмикронных интегральных микросхем с применением тестовых структур | ru_RU |
dc.type | Автореферат | ru_RU |
local.description.annotation | Research purpose: developing the design and technological processes of creating test semiconductor structures, information - parametric methods and means of determining correlation of forming structure and characteristics of the functional layers and the given operating parameters of submicron microcircuits in their manufacture stages under the conditions of mass production. | - |
Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|