| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-09-05T08:51:53Z | - |
| dc.date.available | 2017-09-05T08:51:53Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединений / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. - 2017. - № 4 (106). - С. 70 - 76. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25116 | - |
| dc.description.abstract | Проведен анализ современных методов моделирования фундаментальных электронных
свойств объемных полупроводников на основе теории функционала электронной плотности
и предложена методика, учитывающая особенности полупроводниковых соединений. Описана
последовательность действий по созданию модели исследуемого объекта и оценки ее адекватности.
В качестве примера дано сравнение результатов расчетов электронных спектров и оптических функций
MoS2, полученных в рамках различных функционалов. Установлены параметры расчетов, дающие
приемлемое описание свойств исследуемого материала в рамках представленной методики. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | теория функционала электронной плотности | ru_RU |
| dc.subject | структурная оптимизация | ru_RU |
| dc.subject | запрещенная зона | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрическая функция | ru_RU |
| dc.subject | electron density functional theory | ru_RU |
| dc.subject | structural optimization | ru_RU |
| dc.subject | band gap | ru_RU |
| dc.subject | dielectric function | ru_RU |
| dc.title | Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединений | ru_RU |
| dc.title.alternative | The methodology of modeling of electronic properties of bulk semiconductor compounds | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | An analysis of modern methods of modeling of the fundamental electronic properties of bulk
semiconductors based on the electron density functional theory is performed and a technique taking into account
the peculiarities of semiconductor compounds has been proposed. The procedure of creation of a model of the
investigated object and an estimation of its adequacy is described. As an example the comparison of the results
of calculations of electronic spectra and optical functions of MoS2 obtained in the framework of various
functionals is given. The parameters which adequately describe the properties of investigated material in the
framework of the presented technique are established. | - |
| Appears in Collections: | №4 (106)
|
