| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Святохо, С. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-09-27T09:48:27Z | - |
| dc.date.available | 2017-09-27T09:48:27Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Святохо, С. В. Свойства пленок SiO2, полученных прямым осаждением из ионных пучков / С. В. Святохо // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : сборник материалов 53-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 2–6 мая 2017 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; отв. ред. Раднёнок А. Л. – Минск, 2017. – С. 81–83. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25780 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние режимов нанесения на свойства покрытий из диоксида кремния, полученных прямым
осаждением из ионных пучков ТЭОС и кислорода. Установлено, что увеличение давления кислорода приводит к росту
пропускания и электрической прочности, уменьшению поглощения и диэлектрических потерь покрытий. Покрытия имели
адгезию, соответствующую уровню 4В–5В ASTM в диапазоне анодного напряжения 55–125 В. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | пленки SiO2 | ru_RU |
| dc.subject | ионные пучки | ru_RU |
| dc.subject | прямое осаждение | ru_RU |
| dc.title | Свойства пленок SiO2, полученных прямым осаждением из ионных пучков | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 53-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2017)
|
