Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27174
| Title: | Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках |
| Authors: | Борисов, М. А. |
| Keywords: | материалы конференций;халькогенидные полупроводники;память |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Борисов, М. А. Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках / М. А. Борисов // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХV Белорусско-российской науч.-техн. конф. (Минск, 6 июня 2017 г.). – Минск : БГУИР, 2017. – С. 80 - 81. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27174 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2017
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
