Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27641
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБаранов, И. Л.-
dc.contributor.authorЗимин, А. Б.-
dc.contributor.authorТабулина, Л. В.-
dc.contributor.authorТымощик, А. С.-
dc.contributor.authorПортнов, Л. Я.-
dc.contributor.authorРусальская, Т. Г.-
dc.contributor.authorСвергун, О. А.-
dc.date.accessioned2017-11-13T06:30:23Z-
dc.date.available2017-11-13T06:30:23Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationРазработка технологических принципов формирования темплатов SIO2/SI с вертикальными каналами в слое оксида кремния для создания двумерных магниточувствительных наноструктур ферромагнетик-полупроводник (заключительный) : отчет о НИР / БГУИР; научный руководитель И. Л. Баранов; отв. исполнитель А.Б.Зимин . – Минск, 2016. – 25 с. - № ГР 20142945ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27641-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.titleРазработка технологических принципов формирования темплатов SIO2/SI с вертикальными каналами в слое оксида кремния для создания двумерных магниточувствительных наноструктур ферромагнетик-полупроводник : отчет о НИР (заключ.)ru_RU
dc.typeОтчеты о НИРru_RU
Appears in Collections:Отчеты о НИР 2016

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
№ ГР 20142945 (14-3050)_Рук_НИР_Баранов.pdf
  Restricted Access
1.94 MBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.