| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ланин, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Керенцев, А. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-11-16T11:59:35Z | - |
| dc.date.available | 2017-11-16T11:59:35Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Ланин, В. Л. Конструктивно-технологические особенности MOSFET -транзисторов / В. Л. Ланин // Силовая электроника. – 2008. – № 1. – С. 50 – 54. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27858 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены различные структуры и конструктивно-технологические особенности металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Определены оптимальные варианты конструктивно-технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | ООО «Медиа КиТ» Санкт-Петербург | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | MOSFET–транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | конструктивно-технологические особенности | ru_RU |
| dc.title | Конструктивно-технологические особенности MOSFET -транзисторов | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
