| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-11-21T11:37:35Z | - |
| dc.date.available | 2017-11-21T11:37:35Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Мищенко, В. Н. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaN / В. Н. Мищенко // Материалы и структуры современной электроники: VII-я Международная научно-техническая конференция (Минск, 12 - 13 октября 2016 г.). – Минск: БГУ. - С. 84 – 87. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27977 | - |
| dc.description.abstract | Исследование электронного транспорта в полупровод-никовых структурах из нитрида галлия (GaN) вызывает интерес, связанный с разработкой лазеров, светоизлучающих диодов, транзисторов диапазонов СВЧ и КВЧ, в которых используются гетероструктуры вида InGaN/GaN и AlGaN/GaN. Материал GaN относится к группе широкозонных полупроводниковых материалов с шириной запрещенной зоны равной 3,5 эВ. В этом материале сочетаются такие положительные свойства как высокая тепловая проводимость и большая величина напряжения пробоя. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУ | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | гетероструктура | ru_RU |
| dc.subject | GaN | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте-Карло | ru_RU |
| dc.subject | диапазоны СВЧ и КВЧ | ru_RU |
| dc.subject | heterostructure | ru_RU |
| dc.subject | GaN | ru_RU |
| dc.subject | Monte Carlo method | ru_RU |
| dc.subject | SHF and EHF bands | ru_RU |
| dc.title | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaN | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The study of electron transport in semiconductor structures of gallium nitride (GaN) is of interest related to the development of lasers, light-emitting diodes, transistors of the microwave and EHF bands, in which InGaN / GaN and AlGaN / GaN heterostructures are used. The GaN material belongs to the group of wide-band semiconductor materials with a band gap of 3.5 eV. This material combines such positive properties as high thermal conductivity and high breakdown voltage. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
