https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/28728| Title: | Математическая модель деградации функционального параметра изделий электронной техники |
| Authors: | Дик, С. К. Цырельчук, И. Н. Боровиков, С. М. Шнейдеров, Е. Н. Borovikov, S. M. Shneiderov, E. N. |
| Keywords: | публикации ученых;изделия электронной техники;функциональные параметры;математическая модель деградации;параметрическая надёжность |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины |
| Citation: | Математическая модель деградации функционального параметра изделий электронной техники / С. К. Дик и др. // Проблемы взаимодействия излучения с веществом [Электронный ресурс] : IV Республиканская научная конференция, посвященная 90-летию со дня рождения Б. В. Бокутя, Гомель, 9–11 ноября 2016 г. : в 2 ч. Ч. 2. – Электрон. дан. – Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2016. – С. 228 – 233. |
| Abstract: | На примере биполярных и полевых транзисторов (как разновидности ИЭТ) нескольких типов показано, что математическая модель деградации функционального параметра в виде условной плотности его распределения для заданной наработки, получаемая на основе трёхпараметрического распределения Вейбулла-Гнеденко, является более эффективной. Она обеспечивает меньшие ошибки прогнозирования параметрической надёжности новых выборок транзисторов, нежели модель деградации, построенная с учётом гипотезы о нормальном законе распределения функционального параметра. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/28728 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Dik_Matematicheskaya.PDF | 463.47 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.