Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29407
Title: Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках
Authors: Борисов, М. А.
Keywords: авторефераты диссертаций;халькогенидные полупроводники;эффекты переключения
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Борисов, М. А. Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 03 / М. А. Борисов ; науч. рук. Б. С. Колосницын. - Минск : БГУИР, 2017. - 5 с.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29407
Appears in Collections:1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borisov.pdf316.7 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.