DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
dc.contributor.author | Волчек, В. С. | - |
dc.contributor.author | Дао Динь Ха | - |
dc.contributor.author | Ханько, В. Т. | - |
dc.contributor.author | Омер, Д. С. | - |
dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
dc.date.accessioned | 2018-02-21T07:41:20Z | - |
dc.date.available | 2018-02-21T07:41:20Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия / И. Ю. Ловшенко и др. // Телекоммуникации: сети и технологии, алгебраическое кодирование и безопасность данных : материалы международного научно-технического семинара (Минск, апрель – декабрь 2017 г.) – Минск : БГУИР, 2017. – С. 70-76. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30095 | - |
dc.description.abstract | Описаны преимущества и недостатки применения нитрида галлия (GaN) по сравнению с другими полупроводниковыми материалами микроэлектроники. Показано, что высокая термическая, химическая и радиационная стойкость GaN позволяет использовать его для изготовления приборов, работающих при повышенных температурах и в экстремальных условиях, а его высокая теплопроводность упрощает охлаждение рабочей области. Определено, что сочетание высокой подвижности электронов и значительного поля пробоя
делает его пригодным для изготовления мощных высокочастотных и высокотемпературных транзисторов. Рассмотрены конструктивные решения и технологические методы формирования приборных структур на основе GaN. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | нитрид галлия | ru_RU |
dc.subject | технология | ru_RU |
dc.subject | приборная структура | ru_RU |
dc.subject | gallium nitride | ru_RU |
dc.subject | device structure | ru_RU |
dc.title | Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
local.description.annotation | Advantages and disadvantages of gallium nitride (GaN) usage in comparison with other microelectronics semiconductor materials are described. It is shown that high thermal, chemical and radiation resistance of GaN makes possible to use it for the manufacture of devices operating at elevated temperatures and under extreme conditions, and high thermal conductivity simplifies the cooling of the working region. It is determined that combination of high mobility of electrons and a significant breakdown field makes it suitable for the manufacture of high-power high-frequency and
high-temperature transistors. The design solutions and technological methods for the formation of based on GaN devices are proposed. | - |
Appears in Collections: | Телекоммуникации 2017
|