DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Холов, П. А. | - |
dc.contributor.author | Гапоненко, Н. В. | - |
dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
dc.contributor.author | Колосницын, Б. С. | - |
dc.contributor.author | Иванов, В. А. | - |
dc.contributor.author | Колос, В. В. | - |
dc.date.accessioned | 2018-03-13T09:07:00Z | - |
dc.date.available | 2018-03-13T09:07:00Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Фототок в структурах кремний/титанат стронция/никель / П. А. Холов и другие // Доклады БГУИР. - 2018. - № 1 (111). - С. 19 - 24. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30430 | - |
dc.description.abstract | Золь-гель методом синтезированы пленки титаната стронция SrTiO3 (ксерогель титаната
стронция) на подложках монокристаллического кремния при температуре термообработки 750 °С.
Методом магнетронного распыления сформированы верхние электроды из никеля и измерены вольт-
амперные характеристики сформированных структур. Обнаружен фототок при освещении структуры
кремний/титанат стронция/никель галогенной лампой, а также переключение из низкоомного состояния
в высокоомное при напряжении около 10 В как при освещении, так и без него. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | золь-гель метод | ru_RU |
dc.subject | титанат стронция | ru_RU |
dc.subject | фототок | ru_RU |
dc.subject | sol-gel method | ru_RU |
dc.subject | strontium titanate | ru_RU |
dc.subject | photocurrent | ru_RU |
dc.title | Фототок в структурах кремний/титанат стронция/никель | ru_RU |
dc.title.alternative | Photocurrent in the structures of silicon / strontium titanate / nickel | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
local.description.annotation | The SrTiO3 (strontium titanate xerogel) films were fabricated on the substrates of monocrystalline
silicon using the sol-gel method at the annealing temperature 750 °С. The upper nickel electrodes were
fabricated using the magnetron sputtering, and the volt-amperic characteristics of the obtained structures were
measured. Photocurrent was observed from the structure silicon/strontium titanate/nickel under illumination with
the halogen lamp, as well as switching from low resistance state to high resistance state under and without
illumination. | - |
Appears in Collections: | №1 (111)
|