DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Борисевич, В. М. | - |
dc.contributor.author | Ковалевский, А. А. | - |
dc.contributor.author | Нелаев, В. В. | - |
dc.contributor.author | Малышев, В. С. | - |
dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
dc.date.accessioned | 2018-03-27T09:35:50Z | - |
dc.date.available | 2018-03-27T09:35:50Z | - |
dc.date.issued | 2004 | - |
dc.identifier.citation | Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью / В. М. Борисевич и другие // Доклады БГУИР. - 2004. - № 3 (7). - С. 139 - 151. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713 | - |
dc.description.abstract | Проведено экспериментальное исследование кинетики роста пленок поликристаллического
кремния, легированных изовалентной примесью — германием. Установлены закономерности влияния основных технологических параметров процесса на скорость роста и удельное
электрическое сопротивление пленок. Тонкие пленки поликристаллического кремния, легированные германием и выращенные при температуре 6200 С, при пониженном давлении обладают лучшими структурно-морфологическими свойствами по сравнению с нелегированными пленками. На основании экспериментальных результатов получена аппроксимационная зависимость скорости осаждения, удельного электрического сопротивления от условий
разложения моногидридов и состава газовой смеси. Приведены результаты решения задачи
оптимизации значимых параметров исследованного процесса. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | кинетика | ru_RU |
dc.subject | изовалентная примесь | ru_RU |
dc.subject | скорость осаждения | ru_RU |
dc.subject | удельное электрическое сопротивление | ru_RU |
dc.subject | аппроксимация | ru_RU |
dc.subject | оптимизация | ru_RU |
dc.title | Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью | ru_RU |
dc.title.alternative | Investigation and optimization of the deposition process of polycrystalline silicon films doped by germanium as an isovalent impurity | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | №3 (7)
|