| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Баранов, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Прибыльский, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-30T09:04:25Z | - |
| dc.date.available | 2018-03-30T09:04:25Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Баранов, В. В. Методы повышения устойчивости КМОП БИС к внешним воздействиям / В. В. Баранов, А. В. Прибыльский // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 102 - 106. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30765 | - |
| dc.description.abstract | Проанализировано влияние основных технологических операций на радиационно-
чувствительные параметры КМОП БИС. Определены причины отказов БИС при импульсном
воздействии γ-излучения и показано, что повысить их устойчивость к внешним воздействиям
можно путем задания нормативных уровней разброса параметров активных элементов и модификации конструкции МОП-транзисторов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | МОП-транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | спецстойкость микросхем | ru_RU |
| dc.title | Методы повышения устойчивости КМОП БИС к внешним воздействиям | ru_RU |
| dc.title.alternative | Methods of increasing CMOS VLSIs stability to radiation exposure | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Influence of principal technological processes on radiation dependent parameters of CMOS LSIs
has been analyzed. LSIs failure mechanisms are determined under γ-radiation pulse action. It is shown
that LSIs stability may be increased with being given a certain levels of parameters distribution of active
elements and modification of MOS transistor design. | - |
| Appears in Collections: | №1
|
