| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-30T10:47:03Z | - |
| dc.date.available | 2018-03-30T10:47:03Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Петлицкая, Т. В. МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС / Т. В. Петлицкая // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 70 - 74. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30783 | - |
| dc.description.abstract | Предложен вариант комбинированного диэлектрика SiO2/Ta2O5, для конденсаторов СБИС. Дан
анализ его электрофизических и механических свойств. Рассмотрено влияние толщины каждого из диэлектриков на электрофизические свойства. Установлена зависимость изменения эффективного встроенного заряда в пленке Ta2O5 от радиуса кривизны пластины. На основании
изучения характеристик тестовых конденсаторов с различными вариантами толщины пленок
SiO2 и Ta2O5 определено оптимальное сочетание толщины пленок. Проведено промышленное
опробование разработанного диэлектрика на экспериментальных партиях пластин. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | пленки с высокой диэлектрической проницаемостью | ru_RU |
| dc.subject | МОП-конденсаторы | ru_RU |
| dc.subject | свойства | ru_RU |
| dc.subject | применение в СБИС | ru_RU |
| dc.title | МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС | ru_RU |
| dc.title.alternative | Effective MOS-capasitors for submicron VLSIs applications | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Main properties of MOS-capasitors on the basis SiO2/Ta2O5 have been investegated. The dependence of effective installed charge in Ta2O5 thin film on wafer radius has been obtained. Test capasitors were created within VLSIs in standard industrial conditions. | - |
| Appears in Collections: | №1
|
