| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коробко, Ю. О. | - |
| dc.contributor.author | Достанко, А. П. | - |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T09:22:19Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T09:22:19Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.citation | Коробко, Ю. О. Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхем / Ю. О. Коробко, А. П. Достанко, А. С. Турцевич // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 79 - 83. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30803 | - |
| dc.description.abstract | Для устранения эффекта снижения контрастности знаков совмещения в результате зараста-
ния лунки при химическом осаждении пленки из газовой фазы предложено проводить фор-
мирование дополнительных знаков совмещения по эпитаксиальному слою. С целью увели-
чения точности определения ухода линейных размеров элементов в слое сформированной
структуры, либо рассовмещения элементов, расположенных в различных слоях относитель-
но друг друга, предлагается введение нониусов — специально разработанных тестовых эле-
ментов, представляющих собой набор парных клинообразных элементов с равномерно
увеличивающейся шириной перемычки по ряду. Описана методика применения данного
теста и полученные при его использовании результаты. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | проекционная фотолитография | ru_RU |
| dc.subject | точность | ru_RU |
| dc.subject | знаки совмещения | ru_RU |
| dc.subject | визуальный контроль | ru_RU |
| dc.title | Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Peculiarities of projection photolithography application in power bipolar microcircuits production | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №4 (8)
|
