Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30919
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСокол, В. А.-
dc.contributor.authorГомолко, П. В.-
dc.date.accessioned2018-04-09T12:59:53Z-
dc.date.available2018-04-09T12:59:53Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.citationСокол, В. А. Разработка технологии производства одноуровневой системы медных межсоединений многокристальных модулей на подслое тантала с химическим осаждением медных затравочных слоев / В. А. Сокол, П. В. Гомолко // Доклады БГУИР. - 2005. - № 2 (10). - С. 73 - 78.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30919-
dc.description.abstractПредложен метод создания медных затравочных слоев на подслое тантала химическим осаждением. Разработан технологический процесс создания медных межсоединений для многокристальных модулей.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectмедные межсоединенияru_RU
dc.subjectхимическое осаждениеru_RU
dc.subjectзатравочный слойru_RU
dc.titleРазработка технологии производства одноуровневой системы медных межсоединений многокристальных модулей на подслое тантала с химическим осаждением медных затравочных слоевru_RU
dc.title.alternativeDevelopment of MCM onelevel copper interconnections system on tantalum underlayer with electrolessly deposited copper seed layersru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№2 (10)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Sokol_Development.pdf521.13 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.