DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Сокол, В. А. | - |
dc.contributor.author | Гомолко, П. В. | - |
dc.date.accessioned | 2018-04-09T12:59:53Z | - |
dc.date.available | 2018-04-09T12:59:53Z | - |
dc.date.issued | 2005 | - |
dc.identifier.citation | Сокол, В. А. Разработка технологии производства одноуровневой системы медных межсоединений многокристальных модулей на подслое тантала с химическим осаждением медных затравочных слоев / В. А. Сокол, П. В. Гомолко // Доклады БГУИР. - 2005. - № 2 (10). - С. 73 - 78. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30919 | - |
dc.description.abstract | Предложен метод создания медных затравочных слоев на подслое тантала химическим
осаждением. Разработан технологический процесс создания медных межсоединений для
многокристальных модулей. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | медные межсоединения | ru_RU |
dc.subject | химическое осаждение | ru_RU |
dc.subject | затравочный слой | ru_RU |
dc.title | Разработка технологии производства одноуровневой системы медных межсоединений многокристальных модулей на подслое тантала с химическим осаждением медных затравочных слоев | ru_RU |
dc.title.alternative | Development of MCM onelevel copper interconnections system on tantalum underlayer with electrolessly deposited copper seed layers | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | №2 (10)
|