Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30998
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКотов, Д. А.-
dc.date.accessioned2018-04-13T08:32:08Z-
dc.date.available2018-04-13T08:32:08Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationКотов, Д. А. Исследование вольтамперных характеристик интегрированной ионно-плазменной системы / Д. А. Котов // Доклады БГУИР. - 2003. - № 3. - С. 78 - 82.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30998-
dc.description.abstractИнтегрированная система ионно-ассистированного магнетронного распыления была разработана для расширения возможностей управления параметрами осаждаемых пленок. Преимуществом предлагаемого способа нанесения является высокая скорость роста покрытия с заданной структурой и соответственно физико-химическими свойствами. Приведена схема устройства и результаты исследований вольтамперных характеристик магнетронной распылительной системы в зависимости от давления в вакуумной камере. Установлены особенности электромагнитной совместимости ионно-лучевой и магнетронной распылительной систем. Выявлены возможности значительного снижения пробойного потенциала магнетрона и генерации его разряда при пониженных рабочих давлениях посредством стимуляции ионным пучком. Изучено влияние различных конфигураций ионно-плазменного процесса на инициализацию и устойчивость магнетронного разряда. Отмечены особенности компенсации положительного объемного заряда ионного пучка.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectионно-ассистированное осаждениеru_RU
dc.subjectмагнетронная распылительная системаru_RU
dc.subjectисточник ионовru_RU
dc.titleИсследование вольтамперных характеристик интегрированной ионно-плазменной системыru_RU
dc.title.alternativeResearch the current-voltage characteristic of the ion-plasma systemru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe integrated ion-assisted magnetron deposition system was developed to improve parameter control capabilities for the thin films deposition. The advantage of the suggested deposition method is a high growth rate of the film with the specified structure and accordingly physical and chemical properties. The diagram of the ion-plasma system is presented as well as the research data for current- voltage characteristics of the magnetron sputtering system depending on the pressure in the vacuum chamber. The electromagnetic compatibility features for the ion-beam and magnetron sputtering systems were established. The capabilities for considerable decreasing of the magnetron breakdown potential and generating a discharge under low pressure with the aid in its stimulating by an ion beam are discovered. The influence of various configurations of the ion-plasma process on initialization and stability of the magnetron discharge was studied. The compensation features of a positive ion-beam space charge were emphasized.-
Appears in Collections:№3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kotov_Issledovaniye.pdf238.84 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.