| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Плебанович, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Белоус, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Челядинский, А. Р. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-19T07:18:12Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-19T07:18:12Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.citation | Образование остаточных нарушений в кремнии, имплантированном ионами углерода и бора / В. И. Плебанович и другие // Доклады БГУИР. - 2006. - № 2 (14). - С. 42 - 48. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31041 | - |
| dc.description.abstract | Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование остаточных
протяженных нарушений в кремнии, имплантированном ионами С+ и методом двойной им-
плантации С+ и В+. Установлено, что формирование остаточных нарушений может быть по-
давлено благодаря аннигиляции точечных дефектов на атомах С (эффект Воткинса). Поло-
жительный эффект достигается при локализации внедряемого углерода по узлам решетки,
что обеспечивается его имплантацией с эффективной плотностью тока сканирующего пучка
ионов не ниже 1,0 мкА⋅см–2. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | имплантация | ru_RU |
| dc.subject | углерод | ru_RU |
| dc.subject | бор | ru_RU |
| dc.subject | остаточные протяженные нарушения | ru_RU |
| dc.title | Образование остаточных нарушений в кремнии, имплантированном ионами углерода и бора | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of secondary damage in silicon implanted with carbon and boron ions | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №2 (14)
|
