Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31142
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТурцевич, А. С.-
dc.contributor.authorСоловьев, Я. А.-
dc.contributor.authorАнуфриев, Д. Л.-
dc.contributor.authorМильчанин, О. В.-
dc.date.accessioned2018-04-23T11:05:55Z-
dc.date.available2018-04-23T11:05:55Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.citationОсобенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники / А. С. Турцевич и другие // Доклады БГУИР. - 2006. - № 4 (16). - С. 53 - 58.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31142-
dc.description.abstractИсследованы структурно-морфологические особенности границы раздела Si/PtSi, сформированной твердофазной реакцией платиновой пленки с кремниевой подложкой при температуре 550 °C в среде азота. Установлено, что переходной силицидный слой содержит Pt2Si, PtSi, а также чистую платину и характеризуется неоднородной структурой, обусловливающей неоднородное прохождение тока по площади выпрямляющего контакта. Предложена герметизация платины пленкой никеля. При этом существенно улучшаются однородность структуры и контактные свойства силицидного слоя.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectдиод Шотткиru_RU
dc.subjectсилицид платиныru_RU
dc.subjectтвердофазная реакцияru_RU
dc.subjectграница разделаru_RU
dc.titleОсобенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроникиru_RU
dc.title.alternativeFeatures of formation Si/PtSi boundary in schottky diodes for power applicationru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№4 (16)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Turtsevich_Features.pdf427.9 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.