| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Баранов, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Кречко, М. М. | - |
| dc.contributor.author | Рубцевич, И. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-24T08:29:56Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-24T08:29:56Z | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.citation | Баранов, В. В. Конструктивно-технологическая оптимизация мощных ДМОП транзисторов / В. В. Баранов, М. М. Кречко, И. И. Рубцевич // Доклады БГУИР. - 2007. - № 2 (18). - С. 106 - 111. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31157 | - |
| dc.description.abstract | Описана разработанная система моделирования и конструктивно-технологической
оптимизации мощных ДМОП транзисторов, которая позволила освоить в серийном
производстве ряд мощных полевых n- и p-канальных МОП транзисторов, конкурентоспо-
собных на мировом рынке. Диапазон рабочих напряжений приборов 12–800 В, рабочих
токов от 0,1 до 75 А. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | ДМОП транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | структура | ru_RU |
| dc.subject | модели | ru_RU |
| dc.subject | методы оптимизации | ru_RU |
| dc.title | Конструктивно-технологическая оптимизация мощных ДМОП транзисторов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Optimization of power DMOS transistors solid- state structure and technology | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The developed system of simulation and optimization of power DMOS transistors layout and
technology has been described. It is used for starting manufacture of power MOSFETs
with n- and p-channels that are demanded by the world market. The range of the devices voltage is 12–
800 V, the range of the devices current — 0,1–75 A. | - |
| Appears in Collections: | №2 (18)
|
