| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-27T09:28:27Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-27T09:28:27Z | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.citation | Турцевич, А. С. Классификация процессов химического осаждения из газовой фазы функциональных слоев / А. С. Турцевич // Доклады БГУИР. - 2007. - № 3 (19). - С. 156 - 160. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31232 | - |
| dc.description.abstract | Представлена классификация процессов химического осаждения из газовой фазы функциональных слоев по технологическим факторам. Показано, что химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ) и его модификации остаются базовой технологией до уровня 0,065 мкм
технологии и ниже. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | химическое осаждение | ru_RU |
| dc.subject | газовая фаза | ru_RU |
| dc.subject | функциональные слои | ru_RU |
| dc.subject | активация процесса | ru_RU |
| dc.subject | атмосферное давление | ru_RU |
| dc.subject | субатмосферное давление | ru_RU |
| dc.subject | низкое давление | ru_RU |
| dc.subject | сверхнизкое давление | ru_RU |
| dc.subject | атомарное осаждение слоев | ru_RU |
| dc.subject | газовая фаза | ru_RU |
| dc.title | Классификация процессов химического осаждения из газовой фазы функциональных слоев | ru_RU |
| dc.title.alternative | The processes classification of chemical deposition of functional layers from gas phase | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The article introduces the classification of CVD processes of functional layers by technological factors. It is shown that CVD processes and their modifications remain the basic processes until the
level of the 65 nm technology node and lower. | - |
| Appears in Collections: | №3 (19)
|
