| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Сокол, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Шиманович, Д. Л. | - |
| dc.contributor.author | Сякерский, В. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-06-01T08:44:08Z | - |
| dc.date.available | 2018-06-01T08:44:08Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.citation | Сокол, В. А. Исследование профилей на границе раздела Al–Al2O3 при глубоком локальном анодировании Al / В. А. Сокол, Д. Л. Шиманович, В. С. Сякерский // Доклады БГУИР. - 2009. - № 6 (44). - С. 36 - 41. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31735 | - |
| dc.description.abstract | Представлена теоретическая модель поведения границы раздела плотный–пористый оксид
алюминия в процессе роста пористого оксида в присутствии маски из плотного оксида.
Исследованы реальные профили бокового ухода под маску на границе раздела Аl–Al2O3
при глубоком локальном анодировании Al (до 150 мкм). Проведен сравнительный анализ
таких профилей бокового ухода в присутствии фоторезистивной маски и маски из плотного
анодного оксида. Показано, что маскирование плотным Al2O3 является наиболее
эффективным и надежным при длительном толстослойном пористом анодировании
(боковой уход не превышает 10% от толщины оксида). | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | алюминий | ru_RU |
| dc.subject | электрохимическое анодирование | ru_RU |
| dc.subject | плотный оксид алюминия | ru_RU |
| dc.subject | пористый оксид алюминия | ru_RU |
| dc.subject | фотолитографическая маска | ru_RU |
| dc.subject | коэффициент объемного роста | ru_RU |
| dc.title | Исследование профилей на границе раздела Al–Al2O3 при глубоком локальном анодировании Al | ru_RU |
| dc.title.alternative | Investigation of Al–Al2O3 interface profiles during the deep local anodization of Al | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Theoretical model of dense alumina-porous alumina interface behavior during the porous
oxide growth in the presence of the dense oxide mask has been represented. Real profiles of the oxide
lateral drift under the mask at the Al2O3–Al interface during the deep local anodization of Al (up to
150 μm) have been investigated. Such lateral drift profiles in the presence of photoresist mask and
dense anodic oxide mask have been comparative analyzed. It was shown, that the masking with dense
Al2O3 is the most effective and reliable technique in the process of long-term thick layer porous
anodization (the oxide lateral drift under the mask does not exceed 10–12% of the oxide layer
Thickness). | - |
| Appears in Collections: | №6 (44)
|
