Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31765
Title: Пленки нитрида кремния с низкими механическими напряжениями для микроэлектромеханических систем
Other Titles: Silicon nitride films with low mechanical stresses for microelectromechanical systems applications
Authors: Ковальчук, Н. С.
Keywords: доклады БГУИР;микроэлектромеханические системы;механические напряжения;диэлектрические пленки нитрида кремния;дихлорсилан;аммиак
Issue Date: 2008
Publisher: БГУИР
Citation: Ковальчук, Н. С. Пленки нитрида кремния с низкими механическими напряжениями для микроэлектромеханических систем / Н. С. Ковальчук // Доклады БГУИР. - 2008. - № 4 (34). - С. 60 - 65.
Abstract: Рассмотрены особенности технологии, позволяющей получать пленки нитрида кремния, имеющие низкие значения остаточных механических напряжений (170–200 МПа) с целью их применения в качестве мембран микроэлектромеханических систем. Получены экспериментальные зависимости остаточных механических напряжений пленок нитрида кремния от их толщины и соотношения используемых в процессе осаждения газов — дихлорсилана и аммиака.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31765
Appears in Collections:№4 (34)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kovalchuk_Silicon.PDF300.07 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.