https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31786
Title: | Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования |
Other Titles: | The Monte Carlo semiconductor device structures simulation approach using the object-oriented programming technology |
Authors: | Сперанский, Д. С. Борздов, В. М. |
Keywords: | доклады БГУИР;метод Монте-Карло;объектно-ориентированное программирование;МОП-транзистор;ВАХ |
Issue Date: | 2008 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Сперанский, Д. С. Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования / Д. С. Сперанский, В. М. Борздов // Доклады БГУИР. - 2008. - № 4 (34). - С. 66 - 71. |
Abstract: | Рассмотрены некоторые аспекты разработки программного комплекса моделирования процессов переноса носителей заряда в интегральных полупроводниковых структурах методом Монте-Карло. Основное внимание уделено построению эффективной объектной иерархии, которая дает возможность повторного использования написанного ранее кода, а также минимизирует проблемы, возникающие при разработке программного комплекса несколькими программистами. В качестве иллюстрации работоспособности описанного комплекса приведены результаты расчета вольт-амперной характеристики (ВАХ) интегрального n-канального МОП-транзистора и проведено их сравнение с известными экспериментальными данными. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31786 |
Appears in Collections: | №4 (34) |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Speransky_The.PDF | 356.53 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.