Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31786
Title: Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования
Other Titles: The Monte Carlo semiconductor device structures simulation approach using the object-oriented programming technology
Authors: Сперанский, Д. С.
Борздов, В. М.
Keywords: доклады БГУИР;метод Монте-Карло;объектно-ориентированное программирование;МОП-транзистор;ВАХ
Issue Date: 2008
Publisher: БГУИР
Citation: Сперанский, Д. С. Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования / Д. С. Сперанский, В. М. Борздов // Доклады БГУИР. - 2008. - № 4 (34). - С. 66 - 71.
Abstract: Рассмотрены некоторые аспекты разработки программного комплекса моделирования процессов переноса носителей заряда в интегральных полупроводниковых структурах методом Монте-Карло. Основное внимание уделено построению эффективной объектной иерархии, которая дает возможность повторного использования написанного ранее кода, а также минимизирует проблемы, возникающие при разработке программного комплекса несколькими программистами. В качестве иллюстрации работоспособности описанного комплекса приведены результаты расчета вольт-амперной характеристики (ВАХ) интегрального n-канального МОП-транзистора и проведено их сравнение с известными экспериментальными данными.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31786
Appears in Collections:№4 (34)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Speransky_The.PDF356.53 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.