DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Гурский, Л. И. | - |
dc.date.accessioned | 2018-06-12T10:59:49Z | - |
dc.date.available | 2018-06-12T10:59:49Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Гурский, Л. И. Корректируемые резисторы микросхем / Л. И. Гурский // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVI Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 5 июня 2018 г. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 33. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31937 | - |
dc.description.abstract | Корректируемые резисторы микросхем (КРМ), изготовленные с использованием
плазменных технологий, как правило, имеют отклонения величины сопротивления от
заданного как в большую, так и в меньшую стороны. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | корректируемые резисторы микросхем | ru_RU |
dc.subject | защита информации | ru_RU |
dc.title | Корректируемые резисторы микросхем | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | ТСЗИ 2018
|