| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-06-18T09:18:59Z | - |
| dc.date.available | 2018-06-18T09:18:59Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Муравьёв, В. В. Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графена / В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVI Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 5 июня 2018 г. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 68. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32072 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены вопросы моделирования выходных характеристик полевых транзисторов
с использованием монослоя графена. Исследованы закономерности физического процесса
переноса носителей заряда в слое графена, а также в объемной области полупроводниковой
структуры, для создания которой используются соединения группы карбида кремния,
и в частности, материал 4Н-SiC. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | полевые транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | монослой графена | ru_RU |
| dc.title | Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графена | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2018
|
