| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Шиманович, Д. Л. | - |
| dc.contributor.author | Беспрозванный, Е. Д. | - |
| dc.contributor.author | Алясова, Е. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-05T09:19:37Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-05T09:19:37Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Шиманович, Д. Л. Методы формирования топологических зон открытого выхода на алюминиевых основаниях в толстослойных Al2O3-покрытиях / Д. Л. Шиманович, Е. Д. Беспрозванный, Е. Е. Алясова // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVI Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 5 июня 2018 г. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 101. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32297 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы технологические методы толстослойного анодирования алюминия
в локальных топологических областях при различных методах маскирования для формирования открытых зон выхода на несущие алюминиевые основания с целью
потенциальной возможности дальнейшего контактного монтажа мощных кристаллов
непосредственно на металлизированные площадки (контакт «Al-основание – термоплощадка
кристалла»), что позволяет исключить диэлектрическую составляющую на основе анодного
оксида алюминия с низким параметром коэффициента теплопроводности в местах контакта и
тем самым увеличить эффективность теплоотвода в матричных многокристальных системах. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | методы толстослойного анодирования алюминия | ru_RU |
| dc.subject | формирование топологических зон | ru_RU |
| dc.title | Методы формирования топологических зон открытого выхода на алюминиевых основаниях в толстослойных Al2O3-покрытиях | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2018
|
