DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Скачкова, В. А. | - |
dc.contributor.author | Баранова, М. С. | - |
dc.contributor.author | Гвоздовский, Д. Ч. | - |
dc.date.accessioned | 2018-07-06T09:11:44Z | - |
dc.date.available | 2018-07-06T09:11:44Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Скачкова, В. А. Электронные свойства фосфорена, легированного азотом / В. А. Скачкова, М. С. Баранова, Д. Ч. Гвоздовский // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVI Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 5 июня 2018 г. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 88. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32316 | - |
dc.description.abstract | Последнее десятилетие, важное место в микро- и наноэлектронике занимают двумерные
материалы, такие как графен, силицен, германен, гексагональный BN, дихалькогениды
переходных металлов и др., благодаря их выдающимся свойствам. Монослой черного фосфора
(фосфорен), представляет собой перспективный 2D-материал, который, в отличие от графена,
является прямозонным полупроводником с запрещенной зоной, равной ~ 0,3–2 эВ,
в зависимости от количества слоев в структуре. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | свойства фосфорена | ru_RU |
dc.subject | легирование атомом азота | ru_RU |
dc.title | Электронные свойства фосфорена, легированного азотом | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | ТСЗИ 2018
|