Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32316
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСкачкова, В. А.-
dc.contributor.authorБаранова, М. С.-
dc.contributor.authorГвоздовский, Д. Ч.-
dc.date.accessioned2018-07-06T09:11:44Z-
dc.date.available2018-07-06T09:11:44Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationСкачкова, В. А. Электронные свойства фосфорена, легированного азотом / В. А. Скачкова, М. С. Баранова, Д. Ч. Гвоздовский // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVI Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 5 июня 2018 г. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 88.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32316-
dc.description.abstractПоследнее десятилетие, важное место в микро- и наноэлектронике занимают двумерные материалы, такие как графен, силицен, германен, гексагональный BN, дихалькогениды переходных металлов и др., благодаря их выдающимся свойствам. Монослой черного фосфора (фосфорен), представляет собой перспективный 2D-материал, который, в отличие от графена, является прямозонным полупроводником с запрещенной зоной, равной ~ 0,3–2 эВ, в зависимости от количества слоев в структуре.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectсвойства фосфоренаru_RU
dc.subjectлегирование атомом азотаru_RU
dc.titleЭлектронные свойства фосфорена, легированного азотомru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2018

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Skachkova_Elektronnyye.pdf195.79 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.