| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Цырельчук, Н. И. | - |
| dc.contributor.author | Дик, С. С. | - |
| dc.contributor.author | Шнейдеров, Е. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-28T06:28:46Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-28T06:28:46Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Эффективность моделей деградации функциональных параметров при прогнозировании параметрической надежности полупроводниковых приборов / С. М. Боровиков [и др.] // Доклады БГУИР. – 2018. – № 5 (115). – С. 50–56. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32723 | - |
| dc.description.abstract | Для полупроводниковых приборов большой мощности экспериментально получены
модели деградации функционального параметра в виде условной плотности его распределения
в предположении трех гипотез о законе распределения в точках наработки: нормальный,
двухпараметрический экспоненциальный и Вейбулла-Гнеденко. С помощью средней ошибки
прогнозирования сделано сравнение эффективности моделей деградации при определении
параметрической надежности новых выборок однотипных приборов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | параметрическая надежность | ru_RU |
| dc.subject | модель деградации параметра | ru_RU |
| dc.subject | ошибка прогнозирования | ru_RU |
| dc.subject | semiconductor devices | ru_RU |
| dc.subject | transistors | ru_RU |
| dc.subject | parametric reliability | ru_RU |
| dc.subject | model of parameter degradation | ru_RU |
| dc.subject | prediction error | ru_RU |
| dc.title | Эффективность моделей деградации функциональных параметров при прогнозировании параметрической надежности полупроводниковых приборов. | ru_RU |
| dc.title.alternative | Effectiveness of models of degradation of functional parameters for predicting the parametric reliability of semiconductor devices. | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | For semiconductor devices of high power, the authors experimentally obtained of models
of functional degradation parameter in the form of the conditional density of its distribution under
the assumption of three hypotheses about the distribution law at the points of operating time: normal, two-
parameter exponential and Weibull-Gnedenko. Using the average prediction error, the authors compared
the effectiveness of degradation models in determining of the parametric reliability of new samples
of semiconductor devices of the same type. | - |
| Appears in Collections: | №5 (115)
|
