| Title: | Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в арсениде галлия методом Монте-Карло |
| Other Titles: | Simulation of the mean drift speed of electrons in arsenide gallium by the Monte-Carlo method |
| Authors: | Мищенко, В. Н. |
| Keywords: | доклады БГУИР;арсенид галлия;полупроводниковая структура;процессы переноса электронов;метод Монте-Карло;gallium arsenide;semiconductor structure;electron transport processes;Monte-Carlo method |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Мищенко, В. Н. Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в арсениде галлия методом Монте-Карло / В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2018. - № 5 (115). - С. 5 - 11. |
| Abstract: | Приведены результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов
в одномерной полупроводниковой структуре из арсенида галлия с использованием метода Монте-Карло.
Предложен новый набор значений параметров констант моделирования для арсенида галлия,
необходимый для реализации метода Монте-Карло, который обеспечивает более высокую точность
расчета средней дрейфовой скорости электронов. Результаты моделирования средней дрейфовой
скорости электронов с использованием предложенной модели показали хорошее соответствие
экспериментальным данным, полученным разными авторами. |
| Alternative abstract: | The modeling results of the average electron drift velocity in a one-dimensional semiconductor
structure of gallium arsenide using the Monte-Carlo method are presented. A new set of parameters values
of the modeling constants for gallium arsenide is proposed for the realization of the Monte-Carlo method, which
provides a higher accuracy for calculating the average electron drift velocity. The modeling results of average
electron drift velocity using the proposed model showed good agreement with the experimental data obtained
by different authors. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32730 |
| Appears in Collections: | №5 (115)
|
